可控硅调压电路原理_可控硅调压器电路图_晶闸管沟通调压电路剖析图1沟通可控硅调压电路原理方框图(1)整流电路采纳桥式整流,将220伏,50赫兹沟通电压变为脉动直流电。(2)抗搅扰电路为一般电源抗搅扰电路。(3)可控硅操控电路采纳可控硅和降压电阻组成。(4)张弛振荡器由单结晶体管和电阻组成。(5)冲放电电路有电阻和可变电阻及电容组成。图2沟通可控硅调压电路的原理图 (晶闸管)沟通调压电路作业原理图中TVP抗搅扰一般电源电路。选用双向TVP管子。它关于电网的尖脉冲电压和雷电叠加电压等等搅扰超曩昔额外的数值量,都能有用的吸收。整流电路采纳桥式整流,由4只二极管组成,D1,D2,D3,D4组成。双基极二极管组成张弛真振荡器作为可控硅的同步触发电路。当调压器接上市电后220伏沟通电经过负载电阻Rc,二极管D1到D4整流,在可控硅SCH的A,K南北极构成一个脉动的直流电压。该电压由电阻R1降压后作为触发电路的直流电源。在沟通的正半周时,整流电路经过电阻R1,可变电阻W1对电容充电。当充电电压T1管的峰值电压Up时,管子由截止变为导通。所以电容C经过T1管的e1,b1结和R2敏捷的放电,结果在R2上取得一个尖脉冲。这个脉冲作为操控信号送到可控硅SCR的操控极,使可控硅导通。可控硅导通后的管压降很低,一般小于1伏,所以张弛振荡器停止作业。当沟通电经过0点时,可控硅自行关断。当沟通电在负半周时C又从头充电…循环往复。改动可变电阻的阻值可改动电容的冲放电时间,然后改动可控硅的导通时间,来改动负载上的的输出电压。(晶闸管)沟通调压电路元件参数的挑选(1)二极管D1,D2,D3,D4于300伏,。类型2CZ21B,2CZ83E。(2)晶闸管选用正向与反向电压大于300伏,额外均匀电流大于1安的可控硅整流器件。类型国产3CT。(3)调压电位器选用阻值围470千欧的WH114—1型的组成炭膜电位器。(4)电阻R1选用功率为1瓦的金属膜电阻。(5)电阻R2,R3,R4选用功率为1/8瓦的炭膜电阻。(1)具有调压功用,输出电压规模100到220伏; (2)具有输出电压可调功用。可根据本身的需求调理输出电压; (3)所规划的电路具有的抗搅扰功用。