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可控硅作用 - 简易可控硅调压调温电路(特性工作原理作用与检测)?
时间: 2024-12-18 13:14:51
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可控硅作用 - 简易可控硅调压调温电路(可控硅特性,工作原理,作用与检测)
可控硅作用 - 简易可控硅调压调温电路(可控硅特性,工作原理,作用与检测)屈育成•来源:网络整理•2017-12-07 17:22•次阅读•个评论
1.可控整流,这也是可控硅最基本也最重要的作用。大家所熟知的二极管整流电路只可完成整流的功能,并没有实现可控,而一旦把二极管换做可控硅,便构成了一个可控整流电路。
在一个最基本的单相半波可控整流电路中,当正弦交流电压处于正半周时,只有在控制极外加触发脉冲时,可控硅才被触发导通,负载上才会有电压输出,因此能通过改变控制极上触发脉冲到来的时间,来进一步调节负载上输出电压的平均值,达到可控整流的作用。
2.用作无触点开关,常用于自动化设备中,代替通用继电器,具有无噪音、寿命长的特点。
3.起到开关和调压的作用,经常应用于交流电路中,由于其被触发时间不同,因此通过它的电流只有其交流周期的一部分,通过它的电压只有全电压的一部分,因而起到调节输出电压的作用。
在分析可控硅工作原理时,我们经常将这种四层P1N1P2N2结构看作由一个PNP管和NPN管构成,如下图所示。
当阳极A端加上正向电压时,BG1和BG2管均处于放大状态,此时由控制极G端输入正向触发信号,使得BG2管有基极电流ib2通过,经过BG2管的放大后,其集电极电流为ic2=β2ib2。而ic2沿电路流至BG1的基极,故有ib1=ic2,电流又经BG1管的放大作用后,得到BG1的集电极电流为ic1=β1ib1=β1β2ib2。此电流又流回BG2的基极,使得BG2的基极电流ib2增大,从而形成正向反馈使电流剧增,进而使得可控硅饱和并导通。由于在电路中形成了正反馈,所以可控硅一旦导通后无法关断,即使控制极G端的电流消失,可控硅仍能继续维持这种导通的状态。
通过上面对工作原理的分析可知,可控硅只具有导通和关断两种工作状态,那么这两种工作状态之间如何进行转换呢?状态的转换需要什么条件呢?下图将会告诉你答案~
万用表选用电阻R×1档,用红黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻直至找出读数为数十欧姆的一对引脚,此时黑笔接的引脚为控制极G,红笔接的引脚为阴极K,另一空脚为阳极A。此时将黑表笔接已判断了的阳极A,红表笔仍接阴极K。此时万用表指针应不动。用短接线瞬间短接阳极A和控制极G,此时万用表指针应向右偏转,阻值读数为10欧姆左右。如阳极A接黑表笔,阴极K接红表笔时,万用表指针发生偏转,说明该单向可控硅已击穿损坏。
用万用表电阻R×1档,用红黑两表笔分别测任意两引脚正反向电阻,结果其中两组读数为无穷大。若一组为数十欧姆时,该组红黑表笔所接的两引脚为第一阳极A1和控制极G,另一空脚即为第二阳极A2。确定A、G极后,再仔细测量A1、G极间正反向电阻,读数相对较小的那次测量的黑表笔所接的引脚为第一阳极A1,红表笔所接引脚为控制极G。将黑表笔接已确定了的第二阳极A2,红表笔接第一阳极A1,此时万用表指针应不发生偏转,阻值为无穷大。再用短接线、G极瞬间短接,给G极加上正向触发电压,A2、A1间阻值约为10欧姆左右。随后断开A2、G极短接线欧姆左右。互换红黑表笔接线。同样万用表指针应不发生偏转,阻值为无穷大。用短接线、G极间再次瞬间短接,给G极加上负向的触发电压,A1、A2间阻值也是10欧姆左右。随后断开A2、G极间短接线,万用表读数应不变,保持10欧姆左右。符合以上规律,说明被测双向可控硅管未损坏且三个引脚极性判断正确。
检测较大功率可控硅管是地,需要在万用表黑笔中串接一节1.5V干电池,以提高触发电压。
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的性能能够最终靠多种测量方法来衡量,包括电容、电阻、电流、电压、功率、频率等。其中,电容和电阻是
具有上述特点,所以它大范围的应用于各种电子线路中作开关元件、触发器、调整器和保护器件等。
整流元件的简称,是一种电子元件,它是一种电子开关,能够准确的通过外部电压的变化而改变其内部电流的大小。它由一个晶体管和一个
(SCR)国际通用名称为Thyyistoy,中文简称晶闸管。它能在高电压、大电流条件下
,具有耐压高、容量大、体积小等优点,它是大功率开关型半导体器件,大范围的应用在电力、电子线
(Silicon Controlled Rectifier) 简称SCR,
调整器,电力调整器,电力调功器,具有效率高、无机械噪声和磨损、响应速度快、体积小、重量轻等诸多优点。
有第一阳极A1(T1),第二阳极A2(T2)、控制极G三个引出脚。 只有当单向
原理时,可以把它看作由一个PNP管和一个NPN管所组成。本文主要介绍关于
晶体为材料的P1N1P2N2四层三端器件的大功率半导体器件,一般由两晶闸管反向连接而成。
(SCR: Silicon Controlled Rectifier)是
是P1N1P2N2四层三端结构元件,共有三个PN结,分析原理时,可以把它看作
(SCR)国际通用名称为Thyyistoy,中文简称晶闸管。它能在高电压、大电流条件下
(SCR)国际通用名称为Thyyistoy,中文简称晶闸管。它能在高电压、大电流条件下
(SCR)国际通用名称为Thyyistor,中文简称晶闸管。它能在高电压、大电流条件下
一种以硅单晶为基本材料的P1N1P2N2四层三端器件,创制于1957年,由于它
是一种新型的半导体器件,它具有体积小、重量轻、效率高、寿命长、动作快以及使用起来更便捷等优点,