假定：左面接芯片信号 3.3V，右侧芯片信号5V。电路中接入2个NMOS管。这儿要注意的是，I2C输出状况有低电平、高阻两种状况。

  当VGA_SDA低电平，因为D1中有体二极管的存在，S初始被R2上拉，当D极是0的时分，S极会被钳在导通电压约0.2V左右，(重视大众号：硬件笔记本）终究I2C_SDA为低电平；

  当VGA_SDA高电平，D1的D极高电平 ，而S被R2上拉，这时MOS管不会导通，所以I2C_SDA输出高电平。SCL信号相似原理。

  因为IC1和IC2任何一个输出高电平时，都会导通一个MOS管，然后让LED可以点亮。

  (重视大众号：硬件笔记本）肖特基二极管的压降尽管现已较小，可是仍旧有零点几伏左右，丢失的功耗较多，5V外部电压进来就只变成4V多了；外部电压供电时，会经过P型MOS管的体二极管给电池进行非正规充电，当然这点可以终究靠将Q4 MOS管左右翻转一下处理。

  为了处理上述这些缺点，项目中有时会运用较为杂乱的改善电路，如图2所示。其作业原理简介如下：运用外部电源VIN时，三极管Q7导通，三极管Q6截止，P型MOSFET Q3因为栅极和源极经过电阻R4都接了电池电压VBAT，两者持平，Q3截止，电池电压VBAT无法抵达输出端VCC；外部电源VIN接通时，VIN首要经过Q1 MOSFET的寄生二极管抵达输出端VCC，一起Q2三极管导通，使Q1 MOSFET的栅极拉低到GND为低电平，所以Q1的栅源极电压小于0且抵达导通阈值电平，Q1导通，然后Q1体内的寄生二极管就截止了，(重视大众号：硬件笔记本）外部电源VIN经过Q1抵达输出端VCC。此刻，Q5 MOSFET的栅源极电压挨近持平，Q5和体二极管均截止，避免了外部电源VIN对电池的非正规充电。

  当没有外部电源VIN时，三极管Q7截止，三极管Q6导通，Q3 MOSFET的栅极电压为低电平，栅源电压小于0且抵达导通阈值电平，Q3导通，然后经过Q5的寄生二极管抵达输出端VCC，而Q5的栅极此刻为低电平，因而栅源电压也小于0，Q5导通，其寄生二极管截止，电池电压抵达输出端VCC。

  因为电源主通路运用了三个MOSFET，MOSFET在彻底导通后其压降远远小于肖特基二极管（只要零点零几伏），因而其导通损耗很低；而三个三极管尽管额定增加了一些功率损耗，可是因为三极管作业在彻底饱满状况，在饱满导通压降必定的条件下，导通电流可以终究靠电阻值设置的比较小，因而功耗也不会太高。一起该电路不管电池电压是否大于外部电源，都可以正常的运用，通用性相对比较广泛。