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主副电源MOS管主动切换电路剖析?


时间: 2024-10-27 20:09:11

作者: 半岛官网入口网页版

  假如主副输入电压持平,一起要求输出也是相同的电压,不能有太大的压降,怎样规划?这个电路奇妙的利用了导通的时分低Rds的特性,比较二极管的方法,在本钱操控较低的情况下,极大的提高了功率。

  本电路完成了,当Vin1 = 3.3V时,不论Vin2有没有电压,都由Vin1经过Q3输出电压,当Vin1断开的时分,由Vin经过Q2输出电压。由于挑选运用MOS管的Rds十分小,发生的压降差不多为数十mV,所以Vout根本等于Vin。

  1、假如Vin1 = 3.3V,NMOS Q1导通,之后拉低了PMOS Q3的栅极,然后Q1也开端导通,此刻,Q2的栅极跟源极之间的电压为Q3的导通压降,该电压差不多为几十mV,因而Q2封闭,外部电源Vin2断开,Vout由Vin1供电,Vout = 3.3V。此刻整个电路的静态功耗I1+I2 = 20uA。

  2、现在,Vin1断开了,Q1截止,Q2的栅极有R1的下拉,所以Q2导通,Q3的栅极经过R2上拉,所以Q3也截止,整个电路,Q1跟Q3截止,Vout由Vin2供电,Vout = 3.3V。此刻上面电路I1跟I2的静态功耗不存在。

  当存在主电源时,电路的静态功耗为20uA,不然,简直为零。所以电池合适在外部电源供电。MOSFET Q1、Q2跟Q3应挑选具有低压栅极和十分低的导通电阻特性。

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